Исследователи из Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, НГУ, НГТУ и Национального университета Чао Тунг, используя две
Сообщение Создан новый материал для резистивной памяти появились сначала на Интернет портал.
Создан новый материал для резистивной памяти
Понравилась статья? Подпишитесь на канал, чтобы быть в курсе самых интересных материалов
Подписаться