Минобрнауки России рассказало о новом проекте подведомственного министерству Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО
Российские физики улучшили элементы памяти для гибкой электроники
Понравилась статья? Подпишитесь на канал, чтобы быть в курсе самых интересных материалов
Подписаться